SAG自由空間電光調制器(普克爾盒)緊湊型低壓自由空間電光普克爾盒調制器:相位或強度我們的電光調制器基于特殊晶體研制,相較于傳統摻鎂鈮酸鋰晶體,壓電效應更弱、電荷遷移率更低,因此響應信號更純凈、振鈴效應更小,且能效更高、功耗更低,還可在更短波長與更高光功率條件下穩定工作。本產品提供諧振型與直接驅動型兩種
我們一站式供應各種類型的EOM,電光調制器,自由空間電光調制器,電光調制器eom,EOM電光調制器,普克爾盒,可提供選型、技術指導、安裝培訓、個性定制等全生命周期、全流程服務,歡迎聯系我們的產品經理!
緊湊型低壓自由空間電光普克爾盒調制器:相位或強度
我們的電光調制器基于特殊晶體研制,相較于傳統摻鎂鈮酸鋰晶體,壓電效應更弱、電荷遷移率更低,因此響應信號更純凈、振鈴效應更小,且能效更高、功耗更低,還可在更短波長與更高光功率條件下穩定工作。
本產品提供諧振型與直接驅動型兩種版本,均可對自由空間激光的相位、偏振態或振幅進行調制:
諧振型調制器可大幅降低驅動電壓,僅需實驗室函數發生器即可驅動。每臺器件均獨家配備1MHz、15MHz、30MHz 三個固定諧振頻率,可通過撥動開關手動切換,是測試類應用中高性價比、操作便捷的優選方案;同時支持定制最高 100MHz 的諧振頻率。
直接驅動型調制器支持從直流(DC)到高頻的寬頻段工作,但需搭配高壓驅動器使用,其性能由驅動器決定。我們可提供自研高壓驅動器,客戶也可選用其他廠商的兼容產品。
自由空間電光調制器(普克爾盒)
相位或強度調制型,通光孔徑 3mm,波長 300-2000nm,直流DC-MHz
SAG-FEOM 系列自由空間電光調制器采用經過特殊設計的補償式電光晶體對,與傳統鈮酸鋰(LiNbO?)晶體相比,具備更優異的高功率承載能力和短波長穩定性,可在寬波長范圍內對自由空間激光束進行相位或強度調制。該系列調制器提供單晶體對和雙晶體對兩種晶體長度規格,以降低驅動電壓,并實現更深程度或更快速度的調制;與匹配的驅動器配套使用時,系統工作頻段可覆蓋直流至兆赫茲。可選配件包括:用于高消光比強度調制的偏振立方棱鏡、防止背向反射的隔離器,以及用于反饋控制的輸出探測器;需注意,強度調制工作模式要求輸入光束為線偏振光。

主要特點
高性能
緊湊封裝
易于集成
支持定制
高性價比
應用領域
激光調制
全息成像
金屬切割/雕刻
微加工
| 參數 | 指標 |
| 波長 | 400–600nm/600–900nm/900–1250nm/1250–1650nm |
| 通光孔徑 | 3mm |
| 非諧振型半波電壓 | 典型值 80V,最大值 600V |
| 消光比[1] | 10–30dB,典型值:30dB |
| 諧振型輸入阻抗 | 50ohms |
| 非諧振型輸入電容 | 14pF |
| 最大光功率密度 | 532nm:典型值 2W/最大值 10W[2] 1064nm:典型值 5W/最大值 20W[2] |
| 工作溫度 | - 20–50°C |
注[1]:與偏振器及光束質量相關;[2]:提供高功率版本。

訂購信息:SAG-FEOM-X-WWW-P-LL-I-O-D-G
SAG-FEOM 是指 SAG系列自由空間電光調制器 EOM。
X 是指調制類型:A(強度調制),P(相位調制)。
WWW 是指激光波長,如:W05 (400~600nm),W07 (600~900 nm),W09 (900~1250 nm),W14 (1250~1650 nm),W03 (320~500 nm),W20 (1920~2400 nm)。
P 是指光功率等級:1(常規),2(高功率)。
LL 是指晶體長度:1X(1倍),2X(2倍),3X(3倍)。
I 是指輸入偏振器:N(無),P (Polacore偏振片),B (PBS偏振分束器),G (Glan-Thompson 格蘭偏振器)。
O 是指輸出偏振器:N (無),P (Polacore偏振片),B (PBS偏振分束器),G (Glan-Thompson 格蘭偏振器)。
D 是指驅動器:N(無),Y(有)。
G 是指隔離器:N(無),1(單級),2(雙級)。
例如: SAG-FEOM-A-W07-1-2X-P-P-Y-1.
*偏振器參數:
Polacore偏振片——連續波CW W/cm2
PBS(偏振分束器)——連續波CW W/cm2;
Glan-Thompson 格蘭偏振器——連續波CW kW/cm2
諧振型自由空間電光調制器(普克爾盒)
(通光孔徑 2mm,波長 400nm 至 2000nm,固定頻率 1 至 100MHz)
SAG-REOM 自由空間電光調制器是一款基于晶體的諧振型調制器,設計為在固定諧振頻率下工作,可通過低壓驅動實現激光的相位、偏振或幅度調制。諧振頻率可選范圍為 1 至 20MHz。我們提供標準版本與高功率版本(采用 RTP 晶體),以適配不同的應用需求。
標準型號采用單晶體對;而波長超過 1000nm 的型號需采用雙晶體對,以達到完整的調制深度。該設計可最大限度減少壓電效應與電荷累積,降低諧振驅動器件的正弦響應失真。
若用于幅度調制,需輸入偏振光,因為調制過程依賴偏振態的控制。配合輸入與輸出偏振器,該器件可實現顯著提升的消光比(ER)。

主要特點
低損耗
易于使用
高性價比
應用領域
激光調制
| 參數 | 指標 |
| 波長 | 400–600nm 600–900nm 900–1250nm 1250–1650nm |
| 通光孔徑 | 3mm |
| 非諧振型半波電壓 | 225V @ 633nm |
| 諧振型半波電壓* | 15V @ 633nm |
| 消光比 | 10dB@ 633nm |
| 諧振型輸入阻抗 | 50ohms |
| 非諧振型輸入電容 | 14pF |
| 最大光功率密度 | 標準款:典型值 2W/mm2@ 550nm, 最大值 4W/mm2@ 1060nm 高功率款:典型值 1MW/mm2@ 550nm, 最大值 500MW/mm2@ 1060nm |
| 工作溫度 | -20–50°C |
注 * 半波電壓指實現最大調制深度或 π 相位偏移所需的電壓,隨波長增加而升高。
訂購信息:SAG-REOM-X-WWW-P-RR-I-O-F
SAG-REOM 是指 SAG系列諧振型自由空間電光調制器 EOM。
X 是指調制類型:A(強度調制);P(相位調制)
WWW 是指激光波長,如:W03 (200~400nm),W05 (400~600nm),W07 (600~900 nm),W10 (900~1250 nm),W14 (1250~1650 nm)
P 是指光功率:1(常規);2W,5W,10W,20W,50W,100W,300W
RR 是指諧振頻率:5MHz,10MHz,20MHz,30MHz,50MHz
I 是指輸入偏振器:N(無),B (PBS偏振分束器),G (Glan-Thompson 格蘭偏振器)
O 是指輸出偏振器:N (無),B (PBS偏振分束器),G (Glan-Thompson 格蘭偏振器)
F 是指單諧振頻率版本
例如: SAG-REOM-P-W10-2W-30-B-B
*偏振器參數:
PBS(偏振分束器)——連續波CW 15W/cm2;
Glan-Thompson 格蘭偏振器——連續波CW 2kW/cm2


操作說明
輸入光路對準:將激光束射入器件,確保光束沿光軸正確對準,避免照射到晶體壁。
輸入偏振器設置:在輸入端放置一個垂直偏振器,調整輸入激光的偏振方向,以獲得最大輸出光強。
輸出偏振器設置:在器件輸出端放置一個水平偏振器,仔細調整輸出偏振器的方向,使透射輸出光強達到最小(消光狀態)。
施加控制電壓:逐漸向器件施加電壓,觀察輸出光強的變化。在工作電壓(Vp)下,輸出光強將達到最大值。
GHz諧振型光學相位調制器(1-3.05 GHz,可選溫度控制功能)
SAG-GHZM 系列 GHz諧振型光學相位調制器采用先進電光技術,可實現高速光學相位調制。器件封裝內部集成諧振電路,支持低驅動電壓工作。封裝方案涵蓋自由空間型與光纖耦合型兩種配置,還可額外選擇半導體制冷器(TEC)溫度穩定功能,以及集成放大器驅動器以提升調制深度。使用要求:需輸入線偏振光。
主要特點
高速度
超高可靠性
低插入損耗
結構緊湊
應用領域
原子鐘
光阻斷
可配置運行
儀器設備
| 參數 | 范圍/典型值 |
| 波長 | 350–780nm |
| 諧振頻率 | 0.7–3.05GHz |
| 帶寬 | 3.8–10MHz |
| 品質因數(Q 值) | 325 |
| 處波前畸變 @ 633nm | ≤1/6λ |
| 調制深度 | ≤2.5rad |
| 靈敏度 | 0.38–0.47rad/V |
| 調制所需射頻功率1rad @ 400nm | 35dBm |
| 輸入阻抗 | 50Ω |
| 射頻連接器 | SMA-F |
| 最大射頻功率 | 5W |
| 通光孔徑 | 1–2mm2 |
| 最大光功率密度 | 1W/mm2 |
| 工作溫度(TEC 冷卻)* | 5°C |
| 存儲溫度 | - 40–85°C |
注:* 需半導體制冷器(TEC)主動冷卻
訂購信息:SAG-GHZM-X-WWW-RRR-I-O-T-F
SAG-GHZM 是指 SAG系列GHz諧振型光學相位調制器;
X 是指類型:R(標準型),S(特殊型)
WWW 是指激光波長,如:350nm,450nm,532nm,550nm,650nm,780nm
RRR 是諧振頻率:112(1.12 GHz),305(3.05 GHz),175(1.75 GHz)
I 是指輸入光纖:N(無),P(PM480),S(特殊型號)
O 是指輸出光纖:N(無),P(PM480),S(特殊型號)
T 是指半導體制冷器(TEC):N(無),Y(有)
R 是指射頻放大器:N(無),Y(有),S(特殊型號)
例如:SAG-GHZM-R-350-112-P-P-N-Y
高壓電光調制器(普克爾盒)驅動器 (最高輸出 400V)
SAG-HVED 系列模擬高壓驅動器可提供最高 ±200V(帶寬 1MHz)或 400V(帶寬 0.5MHz)的輸出,非常適合驅動非諧振型電光調制器,以調制波長最高達 1060nm 的光信號。其極性交替功能可最大限度地減少光折變效應導致的電荷累積,在較短波長與較高功率的場景下效果尤為顯著。
該系列驅動器配備最高達 50V 的可調直流偏置,用于精確調整性能。例如:當掃描范圍為 - 200V 至 + 200V、直流偏置為 10V 時,輸出范圍會偏移至 - 190V + 200V(正向側被截斷);而當掃描范圍為- 100V 至 + 100V 時,輸出范圍會調整為 - 90V 至 + 110V。這種偏置靈活性能夠實現精準控制,優化電光器件的功能。
若用于幅度調制,偏振光是必不可少的 —— 因為調制過程依賴通過偏振態來控制光強。通過配備輸入和輸出偏振器,器件的消光比(ER)可得到顯著提升。
主要特點
400V 高壓輸出
10 ns上升/下降時間
模擬響應
應用領域
電光器件控制

| 參數 | 范圍/典型值 |
| 輸出電壓 | 0–±220/400V |
| 上升 / 下降時間* | 7–10ns |
| 偏置電壓 | 0–50V |
| 延遲時間 | ≤200ns |
| 重復頻率 | 0.5–0.7MHz |
| 脈沖抖動 | 1–20ps |
| 輸入電源 | 100–240ACV |
| 功耗 | ≤10W |
| 控制輸入 | 0–5V |
| 濕度 | 90%(無凝露) |
| 工作溫度 | -5–40°C |
| 存儲溫度 | - 40–85°C |
注: *基于 10%—90% 電平測量,同時受幅度和電容負載影響;輸出 400V 時,重復頻率為 0.5MHz.
訂購信息:SAG-HVED-VVV-P-RRR
SAG-HVED 是指 SAG系列高壓電光調制器(普克爾盒)驅動器;
VVV 是指最高電壓:220(±220V),400(400V),S(特殊型)
RRR 是重復頻率:3(0.3 MHz),5(0.5 MHz),7(0.7 MHz)
例如:SAG-HVED-220-B-3
*僅 220V 版本支持 1MHz 重復頻率
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